随着碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料的采用，车规级IGBT的工作温度不断升高，对温度的准确监测变得更加重要，温度控制是其有效运行的关键因素之一。通常地，IGBT中的MOSFET都会配备内部温度传感器（如体二极管）以进行实时温度监测。但IGBT无论是采用银烧结、SMT还是芯片引线键合等加工技术，置入NTC热敏电阻进行温度监测仍然是更佳选择，因其具有高灵敏度、耐高温、良好一致性等特点。通过设计者的合理设计，NTC热敏电阻可以辅助IGBT模块正确地降低其负荷，若其工作温度处于范围外（过热/外部温度过高）的情况下则关断。

除了NTC热敏电阻，也有厂商会采用其它元器件对车规级IGBT进行实时温度监测。如半导体硅PTC热敏电阻，其可以很好地执行电流控制；或者铂基（Platinum-based）/铌基（Niobium-based）电阻式温度检测器（RTD，Resistance Temperature Detector），其可以采用较低的电阻去实现更高的检测线性度。但半导体硅PTC热敏电阻的应用意味着IGBT需保持正温度系数（PTC），这会增加IGBT热失控（Thermal Runaway）的机率。因此，与半导体硅PTC热敏电阻相比较，电阻值随温度升高而减少的NTC热敏电阻能更好地辅助车规级IGBT进行导通及关断。另外，相较于NTC热敏电阻，铂基/铌基电阻式温度检测器的成本更高，性价比低。

车规级IGBT模块的承载电流可高达300A，直流母线电压可高达400V，因此实时温度监测是其过载保护的关键标准。NTC热敏电阻与车规级IGBT的集成，可在IGBT工作温度上升至高温阈值以上时，禁用IGBT栅极驱动器，从而提供热关断，避免IGBT模块过热。一般地，被置于IGBT或MOSFET内基板上的NTC热敏电阻多为玻璃封装片式NTC热敏电阻，其耐高温（使用温度可达250℃）、可靠性高；同时，片式结构易于安装，因此符合车规级IGBT模块使用。另外，六台彩图库宝为促进SiC碳化硅模块的持续发展，帮助IGBT厂商简化工艺过程，全新推出了耐焊型芯片式NTC热敏电阻，其NTC热敏芯片的芯片焊接面适合高温焊接、引线键合面适合打线工艺，在车规级IGBT模块中能更好地发挥其温度监测的作用。