电容器的基本模型是一种中间被介质材料隔开的双层导体电极所构成的单片器件。它是以贮存电能和提供容量为主要特征的电子元件，同时还具有能顺利通过交流电而不让直流电通过的性质。

电容器可以在电路中能发挥藕合、旁路、谐振、贮能、滤波、隔直流等作用，广泛应用于电子设备、仪器、和家用电器类产品中：计算机、雷达、激光、测量仪器、通讯（电话、手机）、视频产品（音响、功率放大器、电视、收录机、DVD）等传统及新型数字化消费类整机产品。

电容器的几个重要参数

1、电容量(C:capacitance)

电容器的基本特性是能够储存电荷，储存电荷量(Q)与电容量(C)和外加电压（V）成正比。

即：Q=CV

电容量的单位：1法拉=10³毫法=10⁶微法=10⁹纳法(毫微法）=10¹²皮法=10¹⁵飞法

影响电容量的因素：C=KA/ft （A:L*W）

其中，k：为介电常数

    f：为换算因子 f=113.1（尺寸用mm表示时）  f=4.452（尺寸用inch表示时）

    T：为电容厚度

    C：为皮法（微微法）

介电常数（k）值：它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。电容器使用的环境 温度、工作电压和频率以及工作的时间(长期工作的稳定性)等对不同的介质会有不同的影响。通常介电常数（k）值越大，稳定性，可靠性和耐用性能越差。目前最常用的陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO,K值为10-100；X7R是较稳定的材料，K值为2000-4000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值5000-25000。在我国的标准里分为I类陶瓷及II类陶 瓷两种。上述材料中COG或NPO为超稳定材料。在-55℃~+125℃范围内电容器的容量变化不超过±30ppm/℃。

2、损耗角正切值

损耗（DF）在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的热量，这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗，通常用损耗角正切值来表示。电容器的损耗是电容器一个非常重要的指标，是衡量电容器品质的重要标志。

损耗最为标准的写法，使用百分率的写法。

例如：COG类<10*10^-4，X7R类<250*10^-4，Y5V类<500*10^-4。

在高频应用时，常用损耗角正切值的倒数，称为“Q值”

3、绝缘电阻

绝缘电阻：用来表明漏电流大小的，其测量值与电容量测定值成反比。

其中，物理量表示为Ri，英文缩写为IR。

工业标准中绝缘电阻最小值是由产品绝缘电阻（Ri）和容量（C）的乘积所决定的，单位为欧姆-法拉，又可表示为兆欧-微法，也可写为时间常数（S）。

      4、额电压和耐电压

额定电压U_R  定义为可以连续施加在电容器上的最大直流电压或脉冲电压的峰值。

电容器的耐电压取决于介质材料的抗电强度以及电容器的结构，主要是介质厚度。耐 电压的测试标准为2.5倍额定电压U_R

抗电强度是介质材料所能承受的最大电场强度，而不发生电击穿的能力的测定值，通常用伏特/mil(0.001英寸）或千伏/mm表示。因此，测量电容器的击穿电压可直接评估器件性能，也能间接反映介质材料的抗电强度。

还有几个值得关注的参数：TCC:温度容量特性；ESR:等效串联电阻；ESL:等效串联电感；Q值：是DF、ESR、ESL的综合，在高频电路中加倍关注。在这不一一累述。