芯片电容——单层陶瓷电容器具有尺寸小、厚度薄，等效串联电阻低、损耗低等优点，它的频率特性好，应用频率可达数千兆赫兹，适用于小型、微波的场合，可用于微波集成电路中，起到隔直流、RF旁路、滤波、调谐等作用。

芯片电容的频率特性是指电容器电容量等参数随频率变化的关系，因此电容器在高频下工作时，随着工作效率的升高，由于绝缘介质介电系数减小，电容量将会减小,而损耗将增大，并且会影响电容器的分布参数，逐渐会呈现感性。芯片电容的频率特性，假设角频率为ω，电容器的静电容量为C，则理想状态下电容器（1）的阻抗Z可用公式①表示:

①X_C=1/（ω×C）=1/（2×π×f×C）

由公式①可看出，阻抗大小|Z|如（2）所示，与频率呈反比趋势減少。由于理想电容器中无损耗，故等效串联电阻(ESR)为零。

但实际电容器（2）中除有容量成分Ｃ外，还有因电介质或电极损耗产生的电阻（ESR）及电极或导线产生的寄生电感(ESL)。因此，|Z|的频率特性如（4）所示呈V字型（部分电容器可能会变为U字型）曲线，ESR也显示出与损耗值相应的频率特性。

|Z|和ESR变为（4）中曲线的原因如下：低频率范围的|Z|与理想电容器相同，都与频率呈反比趋势减少。ESR值也显示出与电介质分极延迟产生的介质损耗相应的特性。而在共振点附近：频率升高，则|Z|将受寄生电感或电极的比电阻等产生的ESR影响，偏离理想电容器（红色虚线），显示最小值。|Z|为最小值时的频率称为自振频率，此时|Z|=ESR。若大于自振频率，则元件特性由电容器转变为电感，|Z|转而增加。低于自振频率的范围称作容性领域，反之则称作感性领域。

ESR除了受介电损耗的影响，还受电极自身抵抗行程的损耗影响。高频范围：共振点以上的高频率范围中的|Z|的特性由寄生电感(L)决定。高频范围的|Z|可由(2)中公式近似得出。与频率成正比趋势增加。ESR逐渐表现出电极趋肤效应及接近效应的影响。

以上为实际电容器的频率特性。重要的是，频率越高，越不能忽视寄生成份ESR或ESL的影响，随着芯片电容在高频领域的应用越来越多，ESR和ESL和静电容量一样，成为表示芯片电容性能的重要参数。