众所周知，陶瓷电容的电容值随电容电极表面面积、电极间距以及介电常数等因素的变化而变化，电容可以通过减小电极间的间距来增加。然而，陶瓷电容有一个常见的问题是当陶瓷坯片或坯条的厚度降低到0.001英寸以下时，在处理过程中容易出现问题。极薄陶瓷胚片在烧制时，边缘会迅速扭曲变形。由于极薄陶瓷胚片薄膜有撕裂和折叠的倾向，所以将薄膜从陶瓷胚片上剥离是一项困难而精细的操作。今天，我们介绍一种陶瓷电容的制作和改进方法，该方法是利用极薄的陶瓷介质去制作陶瓷电容，并通过较薄的介电分离来增加电容的电容量。

简单地说，这个方法包括在一个释放表面上起决定性作用的第一电极，在该释放表面浇铸一层非常薄的陶瓷膜；在形成陶瓷薄膜后，在其顶端或另一侧涂覆第二电极，然后在铸膜顶部放置较厚的陶瓷体，并施加足够的压力，在一定程度上巩固陶瓷电容，并从释放表面取出。如果需要单层芯片电容，则外露的第二电极被覆盖条覆盖。如果需要多层芯片电容，则可以将电极和陶瓷体堆叠到适合的厚度。然后，则可进行组合层压，然后切割得到单个陶瓷电容，或者沿着电极表面的边缘进行刻痕，以便之后将芯片电容从多个点火组件中分离出来。

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