SLC单层芯片电容具有尺寸小、厚度薄（厚度一般为0.15~0.5mm）、等效串联低、损耗低等优点，应用频率可达数GHz，适用于小型、微波的场合，可应用于微波集成电路中，起到隔直、RF旁路、滤波、调谐等作用。单层芯片电容的底面多数采用焊接或者粘接的方式进行安装，而其表面则多数采用键合的形式进行安装。芯片电容的安装方式有以下几种：

一、产品底面电极安装，推荐采用共晶、环氧树脂导电胶或焊料与电路板线路连接。

共晶：采用AuSn（80/20）（熔点280℃）或相近类型焊料进行共晶焊接。产品焊接前应在125℃的惰性气体保护下进行预热。焊片通常采用厚度为25um、大小为芯片电容面积的1/2的尺寸规格。

环氧树脂导电胶：滴下适量的环氧树脂导电胶以保证良好的电性能连接并无空洞产生。

二、产品表面电极安装，推荐采用引线键合工艺进行安装，键合方法推荐采用热超声球形焊接法或者楔焊法。

随着单层芯片电容在电子行业中的需求日益增加，其发展方向如下：

一、大容量化

为了满足元器件日益小型化的需求，单层芯片电容也应迎合小尺寸、大容量的要求。单层芯片电容的外形尺寸基本确定后，需要更大的容值就需要瓷介材料有更大的介电常数。目前，三类瓷介一般能达到30000~40000的介电常数，后期会往更高介电常数发展（50000~60000）。

二、集成化

随着通信技术的不断发展，在超小型化、高集成化、高频化不断发展的动力推动下，将多种元器件集合为一体的多功能复合式电容器正成为技术研究热点。将薄膜金终端的芯片电容和薄膜电阻集成在一起，可以减少在装配环节的键合次数，降低生产成本。

三、高压化

随着T/R组件发展，氮化镓在芯片线路中的应用越来越多，组件向中高电压、大功率发展。其中，电压由现在的10V~30V提高至50V~100V，射频信号带来的冲击电压可达到160V，单层芯片电容也需要向更高电压发展，适应T/R组件的发展。

六台彩图库宝生产的SLC单层芯片电容，采用先进的半导体制程，利用单层芯片电容加工工艺技术，实现了芯片电容生产的高精度、批量化、高可靠。

参考数据：

微信公众号 宏科电子技术社区 《一文了解单层芯片瓷介电容器》