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芯片电容的失效模式
发布者 : admin 发布时间 : 2021/04/29 09:04:19

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SLC单层芯片电容是由陶瓷介质及金属电极两种材料构成,六台彩图库宝生产的单层芯片电容,主要应用于微波集成电路、光通讯等,起隔直流、源旁路、阻抗匹配等作用。在芯片电容工作过程中,或受外因或受内因,会导致失效的情况出现,一般会有以下三种失效形式:


一、热击失效


在芯片电容制造过程中,使用各种兼容材料会导致内部出现张力的不同热膨胀系数及导热率,当温度转变率过大时就容易出现因热击而破裂的现象。而热击失效则可能造成多种现象:


(1)显而易见的形如指甲狀或U形裂缝


(2)隐藏在内的微小裂


两者的区别在于后者所受的张力较小,而引致的裂缝也较轻微。第一种引起的破裂明显,一般可以在金相显微镜中测出,第二种只有在发展到一定程度后金相显微镜才可测出。


二、破裂失效


(1)SMT阶段导致的破裂失效


在SMT阶段时,取放单层芯片电容的机械爪可能会因为磨损、对位不准确、倾斜等,导致芯片电容破裂。这些破裂现象一般为可见的表面裂缝;表面破裂一般会沿着最强的压力线及陶瓷位移的方向。


(2)SMT之后生产阶段导致的破裂失效


电路板切割﹑测试﹑背面组件和连接器安装以及最后组装时,若焊锡组件受到扭曲或在焊锡过程后把电路板拉直,都有可能造成损坏。


三、原材失效


芯片电容通常具有两种足以损害产品可靠性的基本可见内部缺陷:


(1)电极间失效及结合线破裂


电极间失效及结合线破裂主要由陶瓷的高空隙,或电介质层与相对电极间存在的空隙引起,使电极间电介质层裂开,成为潜伏性的漏电危机。


(2)燃烧破裂


燃烧破裂的特性与电极垂直,且一般源自电极边缘或终端;若显示出破裂是垂直的,则是由燃烧所引起。






参考数据:


面包板社区《【干货】深度解析MLCC电容失效原因》

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